доктор физико-математических наук, и. о. заведующего лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии Физического института имени П. Н. Лебедева Российской академии наук (Россия, 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, 53)
Представлены результаты электронно-микроскопических исследований тонкого эпитаксиального слоя алюминия на разориентированной подложке арсенида галлия. Установлено, что слой состоит из зерен различных ориентаций, кристаллические решетки которых когерентно сопрягаются с подложкой с образованием дислокаций несоответствия, как и в случае слоя на сингулярной подложке. Визуализированы атомные ступени на поверхности подложки и обсуждено их влияние на рост кристаллических зерен алюминия.