Тонкие пленки халькогенидных материалов с фазовым переходом применяются в фотонных интегральных схемах, электрической фазовой памяти, нейроморфных вычислениях. Анализ тепловых эффектов методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) – один из основных этапов изучения свойств халькогенидных материалов. Как правило, для исследования методом ДСК используются материалы в виде порошка. Результаты таких исследований не в полной мере отражают процессы, происходящие в тонких пленках. В работе предложен метод пробоподготовки для ДСК-измерений тонкопленочных образцов. Проведено сравнение результатов, полученных разными методами пробоподготовки, включая температурную зависимость удельного сопротивления тонких пленок. Выяснено, что значения температуры кристаллизации, полученные с использованием рассмотренных методов, близки к результатам исследования температурной зависимости удельного сопротивления. Предложенный метод пробоподготовки показывает более точные результаты при исследовании тонкопленочных материалов.
-
Ключевые слова:
тонкие пленки, халькогениды, дифференциальная сканирующая калориметрия, фазопеременные материалы
-
Опубликовано в разделе:
Краткие сообщения
-
Библиографическая ссылка:
Бабич А. В., Голубева Д. А., Гнеушев Д. А., Лазаренко П. И., Колобов А. В., Шерченков А. А. Разработка метода измерения термических свойств тонкопленочных материалов с использованием дифференциальной сканирующей калориметрии. Изв. вузов. Электроника. 2026;31(3):372–376. DOI: 10.24151/1561-5405-2026-31-3-372-376.PETMNU
-
Источник финансирования:
работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 20-79-10322, https://rscf.ru/project/20-79-10322/).
1. Pries J., Sehringer J. C., Wei Sh., Lucas P., Wuttig M. Glass transition of the phase change material AIST and its impact on crystallization. Mater. Sci. Semicond. Process. 2021;134:105990. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105990
2. Kim D., Jung T. S., Park H., Yang W., Han J., Hwang S. et al. Phase-change mechanism and role of each element in Ag-In-Sb-Te: Chemical bond evolution. Appl. Surf. Sci. 2021;544:148838. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148838
3. Sarswat K. K., Sharma I., Dahshan A., Mehta N. Crystallization temperature predictions in phase-change materials using a novel approach. Mater. Lett. 2025;390:138439. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2025.138439
4. Horvat P., Škapin A. S., Štangar U. L., Korošec R. C. Thermal techniques as a tool for the direction of the preparation of photocatalytically efficient titania thin films and powders. J. Therm. Anal. Calorim. 2020;146:1121–1131. https://doi.org/10.1007/s10973-020-10099-x
5. Yakubov A., Sherchenkov A., Babich A., Lazarenko P., Sagunova I., Kirilenko E. Influence of the adjacent layers on the crystallization kinetics of Ge2Sb2Te5
thin films. J. Therm. Anal. Calorim. 2020;142:1019–1029. https://doi.org/10.1007/s10973-020-10013-5
6. Svoboda R., Prikryl J., Krbal M. Native crystal growth in 60 nm Sb2S3
amorphous film: A joint microscopy–calorimetry study. J. Chem. Phys. 2025;163:104502. https://doi.org/10.1063/5.0283530