Компактные эквивалентные схемы дискретных пассивных элементов радиоэлектронной аппаратуры для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне

Компактные эквивалентные схемы дискретных пассивных элементов радиоэлектронной аппаратуры для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне

Раздел находится в стадии актуализации

В специализированных промышленных пакетах САПР SPICE-модели резисторов, индуктивностей и конденсаторов представлены в виде сложных пассивных эквивалентных схем, содержащих десятки и более элементов для обеспечения необходимой точности моделирования в УВЧ-диапазоне и выше. При этом увеличиваются трудоемкость и время моделирования. В работе рассмотрены компактные π-образные эквивалентные схемы пассивных R-, L-, C-элементов для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне. В отличие от традиционных многосекционных эквивалентных схем применение предлагаемых эквивалентных схем снижает трудоемкость описания анализируемой схемы и обеспечивает экономию времени счета в САПР. Для набора стандартных корпусов дискретных R-, L-, C-компонентов изготовлена специальная оснастка, содержащая калибровочные элементы, с помощью которых из результатов измерения S-параметров R-, L-, C-компонентов устраняются паразитные составляющие и потери в кабельных сборках, коаксиально-микрополосковых переходах и линиях передачи. По формулам S-параметры преобразованы в Y-параметры, из которых экстрагированы значения элементов π-образных эквивалентных схем R-, L-, C-компо-нентов. Разработанные модели включены в схемотехнические симуляторы Keysight ADS, DeltaDesign, LTspice и OrCAD.
  • Ключевые слова: УВЧ-диапазон, SPICE-моделирование, пассивная электронно-компонентная база, САПР
  • Опубликовано в разделе: Схемотехника и проектирование
  • Библиографическая ссылка: Петросянц К. О., Казачков А. О., Кремлев И. Е. Компактные эквивалентные схемы дискретных пассивных элементов радиоэлектронной аппаратуры для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне. Изв. вузов. Электроника. 2026;31(3):318–331. DOI: 10.24151/1561-5405-2026-31-3-318-331.WYHHUK
  • Источник финансирования: работа выполнена в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ в 2025 г. (проект № ФИ-2025-4).

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru